材料内部晶格分布测量_传感器_干涉测量

敏感地探测到透明光学元件内部的密度分布情况

FIS4四波干涉传感器是一种高灵敏度的测量工具，它能够检测经过光学元件的波前变化。在透明光学元件中，任何内部的晶格不规则性都可能导致材料内部密度分布的变化。这种密度的不均匀性会进一步引起材料折射率的局部变化，因为折射率与材料的密度直接相关。当光波穿过具有不同折射率的区域时，它们的光程（光线在材料中的实际行进距离）会发生变化。由于光程不同，不同区域的光波在出射时会产生相位差，这种相位差可以通过干涉图样来观察和测量。FIS4传感器通过检测这些相位差，可以非常敏感地探测到透明光学元件内部的密度分布情况，可应用在内部应力分析、材料均匀性评估等场合。

测量优势

单帧图实现完整测量

◆ 面形测量

◆ 材质内部评价

◆ 内部应力分析

高分辨率

◆ 多达512×512相位采样点

◆ 高动态范围

◆ 纳米级灵敏度

易于调节集成

◆ 小巧、紧凑

◆ 支持平行、会聚光束

◆ 超强的抗振性能

测量示例

▎材料内部密度分布测量光路

▎材料内部晶格分布测试

测量演示

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